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Quantum corrections to the conductivity and Hall coefficient of a 2D electron gas in a dirty AlGaAs/GaAs/AlGaAs quantum well: transition from diffusive to ballistic regime

机译:量子校正2D的电导率和霍尔系数   脏alGaas / Gaas / alGaas量子阱中的电子气:从   扩散到弹道政权

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摘要

We report an experimental study of the quantum corrections to thelongitudinal conductivity and the Hall coefficient of a low mobility, highdensity two-dimensional two-dimensional electron gas in a AlGaAs/GaAs/AlGaAsquantum well in a wide temperature range (1.5 K - 110 K). This temperaturerange covers both the diffusive and the ballistic interaction regimes for oursamples. It was therefore possible to study the crossover region for thelongitudinal conductivity and the Hall effect.
机译:我们报告了在较宽的温度范围(1.5 K-110 K)中对AlGaAs / GaAs / AlGaAs量子阱中低迁移率,高密度二维二维电子气的纵向电导率和霍尔系数进行量子校正的实验研究。该温度范围涵盖了我们样品的扩散和弹道相互作用机制。因此,有可能研究纵向电导率和霍尔效应的交叉区域。

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